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      1. SiC襯底上SiCGe外延薄膜的結構分析

        時間:2024-06-02 17:58:42 通信工程畢業論文 我要投稿
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        SiC襯底上SiCGe外延薄膜的結構分析

        全部作者: 陳治明 李連碧 林濤 蒲紅斌 李佳 李青民 第1作者單位: 西安理工大學 論文摘要: 用SEM和TEM對熱壁化學氣相沉積法(HWCVD)在SiC襯底上外延生長的SiCGe薄膜進行了結構分析,發現薄膜生長具有明顯的隨溫度改變的島狀生長特征,且遵循Stranski-Krastanov(SK)生長模式。溫度較低時,在生長初期形成的2D生長層的上方,樣品具有兩種不同的島狀結構:1種是球形結構,另1種是3角型層狀堆疊結構。前者形狀規則,在樣品中占主導地位,后者具有銳利整齊的臺階狀邊緣,數量較少。隨著溫度的升高,球形島逐漸減少,3角島逐漸增多,且在高溫下樣品中的3角島占主導地位。高分辨TEM 分析表明,高溫SiCGe/SiC樣品的界面清晰整齊,其生長初期形成的2D層厚度達到了40nm,幾乎為溫度較低時2D生長層厚度的兩倍。衍射花樣的標定表明:2D層和3角島為閃鋅礦型結構,而球形島則為金剛石型結構。 關鍵詞: SiC;SiCGe;島狀生長;熱壁化學氣相沉積 (瀏覽全文) 發表日期: 2007年07月30日 同行評議:

        論文研究分析了SiCGe在SiC襯底上外延生長過程中溫度對薄膜結構的影響。有1定的新穎性,對于該領域的研究人員有參考價值。但文中有1些小錯誤需要修改,如英文摘要中倒數第3行“TED”是否應該為“TEM”。還有,論文最好對實驗結果做1些更深入的討論,這樣可以提高論文的學術水平!

        綜合評價: 修改稿: 注:同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見,綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數值,以1至5顆星顯示。

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