• <sub id="h4knl"><ol id="h4knl"></ol></sub>
    <sup id="h4knl"></sup>
      <sub id="h4knl"></sub>

      <sub id="h4knl"><ol id="h4knl"><em id="h4knl"></em></ol></sub><s id="h4knl"></s>
      1. <strong id="h4knl"></strong>

      2. 鋁納米晶的正電子湮沒研究論文

        時間:2024-10-25 18:24:25 電子信息工程畢業(yè)論文 我要投稿
        • 相關推薦

        鋁納米晶的正電子湮沒研究論文

          1 引 言

        鋁納米晶的正電子湮沒研究論文

          納米晶材料具有明顯不同于粗晶材料的物理和化學性能, 如高自擴散率、高延展性、聲子比熱容增強、磁性改變. 這些優(yōu)異性能與其本身具有的體積比相當大的界面微觀結(jié)構(gòu)有關. 納米晶的界面處通常存在大量缺陷, 如空位、空位團、微孔洞等,而缺陷的大小和濃度與制備納米晶的工藝等因素有關.

          正電子湮沒壽命譜已廣泛應用于研究納米晶材料晶界的微觀缺陷[513], 提供缺陷的類型和濃度等信息. 已有的文獻報道主要集中于納米晶Fe,Cu, Pd, Ag等微結(jié)構(gòu)以及熱穩(wěn)定性的研究. 目前僅有曾小川利用正電子湮沒技術研究了不同制備工藝對制備的鋁納米粉體缺陷的影響, 尚缺乏相關制備工藝對鋁納米晶的缺陷影響的研究.

          本文擬采用自懸浮定向流-真空熱壓法制備鋁納米晶, 并運用正電子湮沒壽命譜分析技術研究鋁納米晶在壓制過程中缺陷變化情況, 著重分析壓力變化對材料缺陷狀態(tài)的影響. 在通過壓制納米粉體制備納米晶過程中, 不同的壓力勢必影響樣品中缺陷的類型及其濃度. 這些微觀結(jié)構(gòu)的改變將影響材料最終的物理化學性能. 因此, 微觀結(jié)構(gòu)的研究對于材料的生產(chǎn)和應用有重要的指導意義.

          2 實 驗

          2.1 樣品制備

          以純度為99.99% 的鋁絲為原料, 采用電磁感應加熱-自懸浮定向流法制備出鋁納米粉末顆粒,并將所制備的鋁納米粉末移至真空手套箱中. 在惰性氣體(高純氬氣)保護下, 稱取一定量的鋁納米粉, 裝入直徑為15 mm的硬質(zhì)合金模具中, 密封后取出, 移入真空熱壓塊體制備設備中, 待真空至真空度優(yōu)于2.0 × 103Pa后升溫, 在相應的溫度(300?C)和壓強(0—1 GPa)下保壓1 h, 制備出5個不同密度的鋁納米晶體(按照密度從低至高分別為1—5號樣品).

          2.2 性能表征

          本實驗采用阿基米德原理(以無水乙醇為介質(zhì))測定鋁納米晶體的密度(測試溫度為15.6?C);采用D/max-IIIA型X射線衍射儀(XRD)進行測試, 以CuKα (λ = 1.5406 )為X射線源, 掃描范圍2θ = 30?—90?; 正電子壽命譜是在常溫下利用快-快符合正電子壽命譜儀測量, 采用22NaCl正電子源, 測量壽命譜時用兩片相同的樣品夾住正電子源成三明治結(jié)構(gòu). 每個樣品測量8次, 每一個壽命譜的總計數(shù)都在106以上, 并且都采用PATFITP 軟件進行3個壽命分量擬合. 另外也將純鋁進行退火后進行正電子湮沒壽命譜測試.

          3 結(jié)果與討論

          3.1 XRD分析

          利用X射線衍射, 測量了鋁納米晶體的XRD譜圖(見圖2). 由布拉格公式, 可以推出XRD譜出現(xiàn)的5個鋁的特征峰, 從左到右分別對應面心立方(FCC)結(jié)構(gòu)Al的晶面指數(shù)(111), (200), (220),(311), (222). 假定衍射線的寬化僅由晶粒尺寸造成, 扣除儀器因素引起的幾何寬化, 通過Scherrer公式計算得出5個鋁納米晶體樣品的平均晶粒尺寸約為48 nm, 晶粒尺寸沒有明顯變化. 可見在300?C溫度下, 不同壓制壓強對制備的樣品的晶粒尺寸基本沒有影響.

          3.2 正電子湮沒壽命分析

          3.2.1 正電子壽命譜的三壽命分量

          實驗制備的5個鋁納米晶的正電子湮沒壽命譜由三分量構(gòu)成: 短壽命τ1為177—214 ps,其 對 應 強 度I1為31.8%—46.7%; 中 間 壽 命τ2為352—390 ps, I2為53%—67%; 長 壽 命τ3為1113—2366 ps, I3為0.13%—0.58%. 壽命和對應強度的具體值與壓制壓強有關.

          3.2.2 壓制壓強對正電子壽命譜的影響

          鋁納米晶的平均正電子壽命與壓強有關: 隨壓強增加, 平均正電子壽命τm(τm=τ1I1+ τ2I2+ τ3I3)大體趨勢是降低的, 即由311 ps降至301 ps. 由于平均正電子壽命τm與三種類型缺陷(類空位、空位團和微孔洞)的總體積尺寸相關,圖4 表明缺陷的總體積隨壓強的增大而減小.

          3.3 顯微硬度

          納米金屬塊體材料的顯微硬度屬于結(jié)構(gòu)敏感量, 不僅與材料本身的微觀狀況(晶粒大小, 制備過程和制備方法)有關, 而且還與缺陷及其大小有關.表面氣孔等缺陷的存在會顯著降低顯微硬度. 增大壓力可提高樣品密度以及減小缺陷尺寸和數(shù)量, 從而可望提高樣品硬度. 圖9為鋁納米晶的顯微硬度與壓制壓強的關系, 可見隨著壓強的提高, 鋁納米晶的密度增加, 從而使其顯微硬度提高.

          4 結(jié) 論

          正電子湮沒壽命測試表明自懸浮定向流-真空熱壓法制備的鋁納米晶的微觀缺陷明顯不同于粗晶純鋁, 其缺陷主要為類空位以及空位團, 而微孔洞的含量很少. 鋁納米晶微觀缺陷結(jié)構(gòu)與壓強的變化規(guī)律為: 壓制壓強(P)低于0.39 GPa時制得的納米晶, 空位團隨壓強的增加而逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)轭惪瘴?在0.39 GPa P 0.72 GPa時, 各類缺陷發(fā)生消除; P 0.72 GPa時, 各類缺陷進一步發(fā)生消除.隨著壓強的提高, 鋁納米晶的密度增加, 缺陷的尺寸和數(shù)量相應地減少,從而增加其顯微硬度.

        【鋁納米晶的正電子湮沒研究論文】相關文章:

        化學還原制作納米銀粉研究論文11-16

        納米材料論文10-21

        納米阻燃材料的研究進展論文(通用6篇)01-29

        納米材料初探論文12-01

        非晶絲SI效應的研究03-07

        納米復相陶瓷研究03-19

        抗生素藥品晶型工藝的研究03-10

        淺究碳納米管納米復合材料的研究現(xiàn)狀及問題06-09

        纖維基納米結(jié)構(gòu)材料的界面性能研究03-07

        紫杉醇納米粒的研究進展11-17

        国产高潮无套免费视频_久久九九兔免费精品6_99精品热6080YY久久_国产91久久久久久无码
      3. <sub id="h4knl"><ol id="h4knl"></ol></sub>
        <sup id="h4knl"></sup>
          <sub id="h4knl"></sub>

          <sub id="h4knl"><ol id="h4knl"><em id="h4knl"></em></ol></sub><s id="h4knl"></s>
          1. <strong id="h4knl"></strong>

          2. 亚洲AV日韩AV国内 | 亚洲中亚洲中文字幕无线乱码 | 一级特黄大片在线播放 | 中文字幕不卡乱偷在线观看 | 日韩亚洲中文字幕永久在线 | 人人狠狠综合久久亚洲区 |