- 相關(guān)推薦
微電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用前景論文
近年來(lái)，各種各樣的電子產(chǎn)品已經(jīng)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、國(guó)防和日常生活中得到了廣泛的應(yīng)用。伴隨著電子科學(xué)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，使得微電子工業(yè)發(fā)展迅猛，這很大程度上是得益于微電子封裝技術(shù)的高速發(fā)展。這樣必然要求微電子封裝要更好、更輕、更薄、封裝密度更高，更好的電性能和熱性能，更高的可靠性，更高的性能價(jià)格比，因此采用什么樣的封裝關(guān)鍵技術(shù)就顯得尤為重要。
1. 微電子封裝的概述
1.1微電子封裝的概念
微電子封裝是指利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出連線端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。在更廣的意義上講，是指將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確定整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程【1】。
1.2微電子封裝的目的
微電子封裝的目的在于保護(hù)芯片不受或少受外界環(huán)境的影響，并為之提供一個(gè)良好的工作條件，以使電路具有穩(wěn)定、正常的功能。
1.3微電子封裝的技術(shù)領(lǐng)域
微電子封裝技術(shù)涵蓋的技術(shù)面積廣，屬于復(fù)雜的系統(tǒng)工程。它涉及物理、化學(xué)、化工、材料、機(jī)械、電氣與自動(dòng)化等各門學(xué)科，也使用金屬、陶瓷、玻璃、高分子等各種各樣的材料，因此微電子封裝是一門跨學(xué)科知識(shí)整合的科學(xué)，整合了產(chǎn)品的電氣特性、熱傳導(dǎo)特性、可靠性、材料與工藝技術(shù)的應(yīng)用以及成本價(jià)格等因素。
2 微電子封裝領(lǐng)域中的關(guān)鍵技術(shù)
目前，在微電子封裝領(lǐng)域中，所能夠采用的工藝技術(shù)有多種。主要包括了柵陣列封裝（BGA）、倒裝芯片技術(shù)（FC）、芯片規(guī)模封裝（CSP）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）、三維（3D）封裝等（以下用簡(jiǎn)稱代替）【2】。下面對(duì)這些微電子封裝關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行一一介紹，具體如下：
2.1 柵陣列封裝
BGA是目前 微電子封裝的主流技術(shù)，應(yīng)用范圍大多以主板芯片組和CPU等大規(guī)模集成電路封裝為主。BGA的特點(diǎn)在于引線長(zhǎng)度比較短，但是引線與引線之間的間距比較大，可有效避免精細(xì)間距器件中經(jīng)常會(huì)遇到的翹曲和共面度問(wèn)題。相比其他封裝方式，BGA的優(yōu)勢(shì)在于引線見(jiàn)巨大，可容納更多I/0；可靠性高，焊點(diǎn)牢固，不會(huì)損傷引腳；有較好的點(diǎn)特性，頻率特性好；能與貼裝工藝和設(shè)備良好兼容等。
2.2 倒裝芯片關(guān)鍵技術(shù)
倒裝芯片技術(shù)，即：FCW。其工藝實(shí)現(xiàn)流程就是將電路基板芯片上的有源區(qū)采用相對(duì)的方式，將襯底和芯片通過(guò)芯片上的焊料凸點(diǎn)進(jìn)行連接，需要說(shuō)明的是，這些凸點(diǎn)是呈陣列的方式排列。采用這種封裝的方式，其最大的特點(diǎn)就在于具有比較高的I/O密度。而其相對(duì)于其他微電子封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于：第一，具備良好散熱性能；第二，外形尺寸減��；第三，壽命提升，可靠性良好；第四，具備較高密度的I/O；第五，裸芯片的具備可測(cè)試性。
2.3 芯片規(guī)模封裝
CSP是與BGA處于同一個(gè)時(shí)代的封裝技術(shù)。CSP在實(shí)際運(yùn)用中，采用了許多BGA的形式。一般行業(yè)中在對(duì)二者進(jìn)行區(qū)分時(shí)，主要是以焊球節(jié)距作為參考標(biāo)準(zhǔn)。一般焊球節(jié)距作小于1mm便是CSP，而高于1mm便是BGA。相對(duì)于BGA，CSP具有很多突出的優(yōu)勢(shì)，如：具備優(yōu)良的電、熱性；具備高封裝密度；超小型封裝；易于焊接、更換和修正；容易測(cè)定和老化；操作簡(jiǎn)便等。主要有適用于儲(chǔ)存器的少引腳CSP和適用于ASCI的多引腳CSP。
2.4三維（3D）封裝
三維封裝，即是向空間發(fā)展的微電子組裝的高密度化。它不但使用組裝密度更高，也使其功能更多、傳輸速度更高、功耗更低、性能及可靠性更好等。
2.5多芯片模式
多芯片模式（MCM），是指多個(gè)半導(dǎo)體裸芯片表面安裝在同一塊布線基板上。按基板材料不同，分為MCM-L、MCM-C、MCM-D三大類。
①M(fèi)CM-L是指用通常玻璃、環(huán)氧樹(shù)脂制作多層印刷電路基板的模式。布線密度高而價(jià)格較低。
�、贛CM-C通過(guò)厚膜技術(shù)形成多層布線陶瓷，濱海高以此作為基板。布線密度比MCM-L高。
�、跰CM-D通過(guò)薄膜技術(shù)形成多層布線陶瓷或者直接采用Si、Al作為基板，布線密度最高，價(jià)格也高。
2.6系統(tǒng)級(jí)封裝
SIP是將多種功能芯片，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能。與SOC（System On a Chip系統(tǒng)級(jí)芯片）相對(duì)應(yīng)。不同的是系統(tǒng)級(jí)封裝是采用不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，而SOC則是高度集成的芯片產(chǎn)品。
3.微電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用前景
21世紀(jì)的微電子封裝概念已從傳統(tǒng)的面向器件轉(zhuǎn)為面向系統(tǒng)，即在封裝的信號(hào)傳遞、支持載體、熱傳導(dǎo)、芯片保護(hù)等傳統(tǒng)功能的基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)展，利用薄膜、厚膜工藝以及嵌入工藝將系統(tǒng)的信號(hào)傳輸電路及大部分有源、無(wú)源元件進(jìn)行集成，并與芯片的高密度封裝和元器件外貼工藝相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的封裝集成，達(dá)到最高密度的封裝。
在近期內(nèi)，BGA技術(shù)將以其性能和價(jià)格的優(yōu)勢(shì)以最快增長(zhǎng)速度作為封裝的主流技術(shù)繼續(xù)向前發(fā)展；CSP技術(shù)有著很好的前景，隨著其成本的逐步降低將廣泛用于快速存儲(chǔ)器、邏輯電路和ASIC等器件在各類產(chǎn)品中的封裝；在今后不斷的封裝中，F(xiàn)CT技術(shù)將作為一種基本的主流封裝技術(shù)滲透于各種不同的封裝形式中；隨著便攜式電子設(shè)備市場(chǎng)的迅速擴(kuò)大，適用于高速、高性能的MCM發(fā)展速度相當(dāng)驚人；三維封裝是發(fā)展前景最佳的封裝技術(shù)，隨著其工藝的進(jìn)一步成熟，它將成為應(yīng)用最廣泛的封裝技術(shù)【3】。
結(jié)束語(yǔ)
關(guān)鍵性封裝技術(shù)在推動(dòng)更高性能、更低功耗、更低成本和更小形狀因子的產(chǎn)品上發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。在芯片-封裝協(xié)同設(shè)計(jì)以及為滿足各種可靠性要求而使用具成本效益的材料和工藝方面，還存在很多挑戰(zhàn)。為滿足當(dāng)前需求并使設(shè)備具備高產(chǎn)量大產(chǎn)能的能力，業(yè)界還需要在技術(shù)和制造方面進(jìn)行眾多的創(chuàng)新研究。
【參考文獻(xiàn)】：
[1]羅艷碧.第四代微電子封裝技術(shù)-TVS技術(shù)及其發(fā)展[J].科技創(chuàng)新與應(yīng)用，2014（7）：3-4.
[2]關(guān)曉丹，梁萬(wàn)雷.微電子封裝技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)綜述[J].北華航天工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào)，2013（1）：34-37.
[3]張力元.微電子封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)[J].云南科技管理，2012（4）：42-45
【微電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用前景論文】相關(guān)文章：
微電子裝置的電磁干擾問(wèn)題論文04-26
探析區(qū)塊鏈技術(shù)在保險(xiǎn)行業(yè)應(yīng)用前景論文04-22
土壤污染隱患排查工作問(wèn)題和關(guān)鍵技術(shù)論文06-04
關(guān)于微電子機(jī)械系統(tǒng)的力學(xué)問(wèn)題研究論文05-04
計(jì)算機(jī)應(yīng)用基礎(chǔ)論文02-24
問(wèn)題情景在科學(xué)教學(xué)中的應(yīng)用的論文05-06
談?dòng)?jì)算機(jī)發(fā)展與前景論文（精選8篇）05-06