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一種Flyback軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)方法
摘要：提出了一種Flyback電路ZVS軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)方法，即通過附加一個繞組，使激磁電感電流反向，從而來創(chuàng)造Flyback電路主開關(guān)的ZVS軟開關(guān)條件；分析了其工作原理及電路參數(shù)的設(shè)計；最后的實(shí)驗結(jié)果驗證了該電路的工作原理及有效性。關(guān)鍵詞：Flyback電路；軟開關(guān)；輔助繞組
引言
輕小化是目前電源產(chǎn)品追求的目標(biāo)。而提高開關(guān)頻率可以減小電感、電容等元件的體積。但是，開關(guān)頻率提高的瓶頸是開關(guān)器件的開關(guān)損耗。于是軟開關(guān)技術(shù)就應(yīng)運(yùn)而生。
本文提出了一種帶輔助繞組的Flyback零電壓軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)方法。通過對該電路的工作原理分析及實(shí)驗的結(jié)果，驗證了該電路的可行性。
1 工作原理
圖1所示的即為本文所提出的軟開關(guān)電路，輔助繞組的匝數(shù)與輸出繞組相同。開關(guān)管S1與S2互補(bǔ)導(dǎo)通，之間有一定的死區(qū)防止共態(tài)導(dǎo)通，如圖2所示。電路中激磁電感Lm的取值較小，使電流iLm可以反向以達(dá)到主開關(guān)S1的ZVS軟開關(guān)條件，如圖2（a）及圖2（b）中iLm波形所示。由于電路在輕載及滿載時的工作狀況有略微不同，下文將具體分析電路輕載時的工作原理，滿載時的工作原理將簡要說明。考慮到開關(guān)的結(jié)電容以及死區(qū)時間，電路輕載時一個周期可以分為7個階段，其各個階段的等效電路如圖3所示。其工作原理描述如下。
1）階段1〔t0，t1〕該階段S1導(dǎo)通，Lm承受輸入電壓，激磁電流iLm正向線性增加，從負(fù)值變?yōu)檎�。在t1時刻S1關(guān)斷，iLm達(dá)到最大值，該階段結(jié)束。
2）階段2〔t1，t2〕S1關(guān)斷后，激磁電感電流開始下降，其中一部分對S1的輸出結(jié)電容充電，S1的漏源電壓線性上升；同時另一部分通過變壓器耦合到副邊使S2的輸出結(jié)電容放電，S2的漏源電壓可以近似認(rèn)為線性下降，t2時刻S2的漏源電壓下降到零，該階段結(jié)束。
3）階段3〔t2，t3〕當(dāng)S2的漏源電壓下降到零之后，S2的寄生二極管就導(dǎo)通，將S2的漏源電壓箝位在零電壓狀態(tài)，也就是為S2的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。同時二極管D也導(dǎo)通。
4）階段4〔t3，t4〕t3時刻S2的門極變?yōu)楦唠娖�，S2零電壓開通。激磁電感Lm承受反向電壓nVo（n為變壓器原副邊匝數(shù)比），Lm上電流線性下降，t4時刻下降到零，通過開關(guān)管S2及二極管D的電流也同時下降到零，該階段結(jié)束。
5）階段5〔t4，t5〕通過二極管D的電流下降到零以后，二極管D自然關(guān)斷。而S2繼續(xù)導(dǎo)通，Lm上承受電壓nVo，流過Lm的電流從零開始反向線性增加。t5時刻S2關(guān)斷，該階段結(jié)束。
6）階段6〔t5，t6〕此時激磁電感Lm上的電流方向為負(fù)，此電流一部分使S1的輸出結(jié)電容放電，使S1的漏源電壓可以近似認(rèn)為線性下降；同時另一部分通過變壓器耦合到副邊對S2的輸出結(jié)電容充電，使S2的漏源電壓線性上升。t6時刻S1的漏源電壓下降到零，該階段結(jié)束。
7）階段7〔t6，t7〕當(dāng)S1的漏源電壓下降到零之后，S1的寄生二極管導(dǎo)通，將S1的漏源電壓箝在零電壓狀態(tài)，也就為S1的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件。t7時刻接著S1在零電壓條件下導(dǎo)通，進(jìn)入下一個周期。可以看到，兩個開關(guān)S1和S2都實(shí)現(xiàn)了軟開關(guān)。
以上分析的是電路輕載時的工作原理，電路滿載時的工作原理與輕載時略有差別，即不存在二極管D電流下降到零自然關(guān)斷的環(huán)節(jié)，二極管D的電流在開關(guān)管S2關(guān)斷以后才逐步下降到零，如圖2（b）所示。
2 軟開關(guān)參數(shù)設(shè)計
這里軟開關(guān)的參數(shù)設(shè)計主要是變壓器激磁電感的設(shè)計。
激磁電感電流的峰峰值可以表示為
ΔILm=（VinDT）/Lm （1）
式中：D為占空比；
T為開關(guān)周期。
則激磁電感電流的最大值和最小值可以表示為：
ILmmax=(VinDT)/2Lm＋I(xiàn)o/n （2）
ILmmin=(VinDT)/2Lm－Io/n （3）
式中：Io是負(fù)載電流。
圖3
從上面的原理分析中可以看到S1的軟開關(guān)條件是由|ILmmin|使S1的輸出結(jié)電容放電，同時通過變壓器對S2的輸出結(jié)電容充電來創(chuàng)造的；而S2的軟開關(guān)條件是由|ILmmax|對S1的輸出結(jié)電容充電，同時通過變壓器使S2的輸出結(jié)電容放電來創(chuàng)造的。S1及S2的軟開關(guān)極限條件為儲存在Lm上的能量對S1和S2的輸出結(jié)電容充放電，足以令其中一結(jié)電容放電到零，而另一結(jié)電容充電到最大。
這樣S1的極限條件為
S2的極限條件為
式中：C1，C2分別為S1和S2的輸出結(jié)電容。
由于在實(shí)際電路中死區(qū)時間比較小，因此可以近似認(rèn)為在死區(qū)時間內(nèi)電感Lm上的電流保持不變，即為一個恒流源對開關(guān)管的結(jié)電容進(jìn)行放電。在這種情況下的軟開關(guān)條件稱為寬裕條件。
S1的寬裕條件為
(C2/n2 C1)(nVo＋Vin)≤
|ILmmin|tdead1 （6）
S2的寬裕條件為
(C2/n2 C1)(nVo＋Vin)≤
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