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      1. 電力變換裝置中短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

        時(shí)間:2023-03-19 09:57:11 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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        電力變換裝置中短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

        摘要:為了使電力變換裝置能夠安全可靠地工作,在分析其短路保護(hù)設(shè)計(jì)方法的基礎(chǔ)上,給出了幾種實(shí)用的電流保護(hù)電路,并對(duì)其工作機(jī)理進(jìn)行了詳盡的剖析,以便變通使用。

        引言

        由于電力變換裝置均工作在大功率環(huán)境中,過(guò)流和短路是不可避免的。為了確保電力變換裝置安全可靠地工作,有效的電流保護(hù)設(shè)計(jì)是必須的。而過(guò)流相對(duì)于短路對(duì)變換裝置的危害要小,再加上各種資料對(duì)過(guò)流保護(hù)介紹得比較多,故在此主要討論電力變換裝置中的短路保護(hù)的設(shè)計(jì)。

        現(xiàn)代電力變換裝置均采用大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,其所能承受的電流過(guò)載能力相對(duì)于旋轉(zhuǎn)變流裝置要低得多,如IGBT一般只能承受幾十個(gè)μs甚至幾個(gè)μs的過(guò)載電流,一旦短路發(fā)生就要求保護(hù)電路能在盡可能短的時(shí)間內(nèi)關(guān)斷開(kāi)關(guān)器件,切斷短路電流,使開(kāi)關(guān)器件不致于因過(guò)流而損壞。但是,在短路情況下迅速關(guān)斷開(kāi)關(guān)器件,將導(dǎo)致負(fù)載電流下降過(guò)快而產(chǎn)生過(guò)大的di/dt,由于引線電感和漏感的存在,過(guò)大的di/dt將產(chǎn)生很高的過(guò)電壓,而使開(kāi)關(guān)器件面臨過(guò)壓擊穿的危險(xiǎn)。對(duì)于IGBT,過(guò)高的電壓又可能導(dǎo)致器件內(nèi)部產(chǎn)生擎住效應(yīng)失控而損壞器件。因此,必須綜合考慮和設(shè)計(jì)電力變換裝置短路保護(hù),以確保電流保護(hù)的有效性。

        1 短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

        由于IGBT綜合了場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小和雙極晶體管電壓容量大,電流密度高的優(yōu)點(diǎn),而成為了現(xiàn)代電力變換裝置中使用最廣泛的一種開(kāi)關(guān)器件,下面以其為保護(hù)對(duì)象進(jìn)行討論。

        1.1 過(guò)流信息檢測(cè)

        為了實(shí)現(xiàn)IGBT的短路保?,必須進(jìn)行過(guò)流檢測(cè)。適用于過(guò)流檢測(cè)方法,通常是采用霍爾電流傳感器直接檢測(cè)IGBT的電流Ic,然后與設(shè)定的值進(jìn)行比較,用比較器的輸出去控制驅(qū)動(dòng)信號(hào)的關(guān)斷;也可以檢測(cè)過(guò)流時(shí)IGBT的集射極電壓Vce,因?yàn)楣軌航岛卸搪冯娏鞯男畔,過(guò)流時(shí)Vce將增大,且基本上與Ic呈線性關(guān)系,故檢測(cè)過(guò)流時(shí)的Vce并與設(shè)定的值進(jìn)行比較,用比較器的輸出控制驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)斷,也可完成過(guò)流保護(hù)。

        1.2 降柵壓軟關(guān)斷半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件

        在短路電流出現(xiàn)時(shí),為了避免關(guān)斷IGBT時(shí)di/dt過(guò)大形成過(guò)電壓,導(dǎo)致IGBT失控或過(guò)壓損壞,通常采用降柵壓的軟關(guān)斷綜合保護(hù)技術(shù)。即在檢測(cè)到過(guò)流信號(hào)后首先是進(jìn)入降柵壓保護(hù),以降低故障電流的幅值,延長(zhǎng)IGBT承受過(guò)載電流的時(shí)間。在降柵壓動(dòng)作后,設(shè)定一個(gè)固定延遲時(shí)間以判斷故障電流的真實(shí)性,如在延遲時(shí)間內(nèi)故障消失則柵壓自動(dòng)恢復(fù);如故障仍然存在則執(zhí)行軟關(guān)斷,使柵壓降至0V以下,最終關(guān)斷IGBT。采用降柵壓軟關(guān)斷綜合保護(hù)技術(shù)可使故障電流的幅值和下降率以及過(guò)電壓都受到限制,使IGBT的運(yùn)行軌跡處于安全區(qū)內(nèi)。

        圖2

        在設(shè)計(jì)降柵壓軟關(guān)斷保護(hù)電路時(shí),要正確選擇降柵壓的幅度和速度。如果降柵壓幅度較大(如7.5V以上),則降柵壓的速度就不要太快,一般采用2μs左右的下降時(shí)間。由于降柵壓幅度大,集電極電流已經(jīng)較小,則封鎖柵極可快些,不必采用軟關(guān)斷。如果降柵壓幅度較。ū热5V以下),則降柵速度可快些,而封鎖柵壓的速度必須慢,即采用軟關(guān)斷,以避免產(chǎn)生過(guò)高的過(guò)電壓。

        1.3 降頻“打嗝”的保護(hù)

        在大功率負(fù)載中為了使電源在短時(shí)間的短路故障狀態(tài)下不中斷工作,又能避免連續(xù)進(jìn)行短路保護(hù)產(chǎn)生熱積累而損壞IGBT,可采用使工作頻率降低的方法形成間歇“打嗝”的保護(hù),待故障消除后又恢復(fù)正常工作。降頻“打嗝”的保護(hù)并非每個(gè)保護(hù)電路都必需。

        2 幾種實(shí)用的IGBT短路保護(hù)電路及工作原理

        2.1 利用短路時(shí)Vce增大實(shí)現(xiàn)的短路保護(hù)電路

        圖1是利用IGBT短路時(shí)Vce增大的原理實(shí)現(xiàn)保護(hù)的電路,專用于EXB841驅(qū)動(dòng)電路。如果發(fā)生短路,含有IGBT過(guò)流信息的Vce不直接送至EXB841的IGBT集電極電壓監(jiān)視腳6上,而是快速關(guān)斷快速恢復(fù)二極管VD1,使比較器IC1(LM339)的V+電壓大于V-電壓,比較器輸出高電平,由VD2送至EXB841的腳6,啟動(dòng)EXB841內(nèi)部電路中的降柵壓及軟關(guān)斷電路,低速切斷電路慢速關(guān)斷IGBT,既避免了集電極電流尖峰損壞IGBT,又完成了IGBT短路保護(hù)。該電路的特點(diǎn)是,消除了由VD1正向壓降隨電流不同而引起關(guān)斷速度不同的差異,提高了電流檢測(cè)的準(zhǔn)確性,同時(shí),由于直接利用EXB841內(nèi)部電路中的降柵壓及軟關(guān)斷功能,整體電路簡(jiǎn)單可靠。

        2.2 利用電流互感器實(shí)現(xiàn)的短路保護(hù)電路

        圖2是利用電流互感器實(shí)現(xiàn)過(guò)流檢測(cè)的IGBT短路保護(hù)電路。其中電流互感器TA的初級(jí)串接在IGBT的集電極電路中,次級(jí)感應(yīng)的過(guò)流信號(hào)經(jīng)整流后送至比較器IC1的同相輸入端,與反相端的基準(zhǔn)電壓Vref進(jìn)行比較,IC1輸出VB至具有正反饋的比較器IC2的同相輸入端C點(diǎn),由IC2的輸出經(jīng)R8接至EXB841的腳6上。不過(guò)流時(shí),IC1的VA小于Vref,輸出VB為低電平約0.2V,經(jīng)R1送到IC2比較器的同相端C形成VC,因此時(shí)VC小于Vref,IC2輸出為低電平,EXB841正常工作。當(dāng)出現(xiàn)過(guò)流時(shí),電流互感器檢測(cè)到的整流電壓將升高,VA大于Vref,VB為高電平,由R1給C3充電,經(jīng)一定的延時(shí)后,VC將大于Vref,IC2輸出高電平,EXB841保護(hù)電路工作,使IGBT降柵壓軟關(guān)斷。IGBT關(guān)閉后,電流互感器初級(jí)無(wú)電流流過(guò),使VA又小于Vref,VB又回到0.2V左右,C3經(jīng)R1放電,當(dāng)VC小于Vref時(shí),IC2輸出低電平,電路重新進(jìn)入工作狀態(tài)。如果過(guò)流繼續(xù)存在,保護(hù)電路又恢復(fù)到原來(lái)的限流保護(hù)工作狀態(tài),反復(fù)循環(huán)使EXB841的輸出驅(qū)動(dòng)波形處于間隔輸出狀態(tài),使IGBT輸出電流有效值減小,達(dá)到保護(hù)IGBT的目的。電位器W1用于調(diào)整IC1比較器過(guò)流動(dòng)作值。電容器C3可經(jīng)D5和R5快速充電,經(jīng)R1慢速放電,只要合理地選擇R1,R5和C3的參數(shù),可實(shí)現(xiàn)EXB841比較快關(guān)閉IGBT而較慢恢復(fù)IGBT。正反饋電阻R7保證IC2比較器具有遲滯特性,和R1和C3充放電電路一起,保證IC2輸出不致于在高、低電平之間頻繁變化,使IGBT頻繁開(kāi)通、關(guān)斷而損壞,提高了電路的可靠性。

        圖3

        2.3 利用短路Vce和

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