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硅基微機(jī)械加工技術(shù)研討
導(dǎo)語：就微電子機(jī)械系統(tǒng)而言,硅基微機(jī)械加工技術(shù)是其重要的實(shí)現(xiàn)技術(shù)之一.這種技術(shù)的應(yīng)用是微電子機(jī)械系統(tǒng)形成良好性能的重要保障.本文從硅基微機(jī)械加工技術(shù)的種類入手,對這種加工技術(shù)的應(yīng)用進(jìn)行分析和研究.下面是小編搜集整理的一篇硅基微機(jī)械加工技術(shù)研討的論文范文，供大家閱讀參考。
【摘要】就微電子機(jī)械零碎而言，硅基微機(jī)械加工技術(shù)是其重要的完成技術(shù)之一。這種技術(shù)的使用是微電子機(jī)械零碎構(gòu)成良好功能的重要保證。本文從硅基微機(jī)械加工技術(shù)的品種動手，對這種加工技術(shù)的使用停止剖析和研討。
【關(guān)鍵詞】硅基;微機(jī)械加工技術(shù);使用
前言
從以往機(jī)械加工經(jīng)歷可知，隨著待加工機(jī)械資料尺寸的降低，其加工難度會發(fā)作相應(yīng)提升。因而，絕對于普通的加工技術(shù)而言，硅基微機(jī)械加工技術(shù)的使用難度更高。除此之外，硅基微機(jī)械加工技術(shù)的使用也是使得加工成品發(fā)生高精度、高效功能的次要緣由。
一、硅基微機(jī)械加工技術(shù)
罕見的硅基微機(jī)械加工技術(shù)次要包括以下幾種：(一)外表微機(jī)械加工技術(shù)這種加工技術(shù)是指運(yùn)用集成電路中的立體化制造技術(shù)，完成生成相關(guān)微機(jī)械安裝的目的。這種加工技術(shù)的使用原理爲(wèi)，經(jīng)過多層以硅爲(wèi)根底的根底層的構(gòu)成，最初組裝成相應(yīng)的成品。在實(shí)踐使用中，外表微機(jī)械加工技術(shù)的使用流程爲(wèi)：應(yīng)用這種技術(shù)在單晶硅基片上交替堆積出一層二氧化硅與一層具有低應(yīng)力特點(diǎn)的多晶硅。其中二氧化硅層的作用是用于后續(xù)加工操作中的腐蝕處置。當(dāng)由上述兩個(gè)堆積層組成的加工層發(fā)生之后，需求對該層停止光刻摹制處置。當(dāng)上述操作完畢之后，需求使用CHF3對構(gòu)成的二氧化硅層停止蝕刻處置，停止促進(jìn)顯影目的的完成。外表微機(jī)械加工技術(shù)的使用次數(shù)與所包括的層數(shù)相反，應(yīng)用上述步驟反復(fù)對每一層停止處置，最終可以取得加工成品。這種加工技術(shù)的使用缺陷在于，使用這種加工技術(shù)所取得堆積薄膜的厚度是最終加工出微機(jī)械安裝厚度的次要影響要素，因而應(yīng)用該技術(shù)取得的微機(jī)械構(gòu)造全都處于二維維度中。除此之外，這種技術(shù)的使用劣勢在于，其可以完成與IC之間的百分百兼容。(二)體微機(jī)械加工技術(shù)這種技術(shù)是指，將一個(gè)完好的加工資料加工處置爲(wèi)基于微機(jī)械構(gòu)造的成品。通常狀況下，基于微機(jī)械構(gòu)造成品的構(gòu)成需求閱歷兩道處置工序：第一，選擇摻雜工序。以單晶硅基片爲(wèi)例，體微機(jī)械加工技術(shù)的使用首先需求完成該硅基片的選擇摻雜處置。當(dāng)該加工工序取得合格的單晶硅基片處置質(zhì)量之后，才可以停止后續(xù)工序的操作加工。第二，結(jié)晶化學(xué)腐蝕工序。該工學(xué)對化學(xué)腐蝕進(jìn)程規(guī)范化的要求絕對較高。從全體角度來講，這種硅基微機(jī)械加工技術(shù)的使用優(yōu)勢在于：該技術(shù)無法完成看待加工零部件部分的立體化處置，因而，這種加工技術(shù)無法與微電子線路之間間接構(gòu)成兼容形態(tài)。(三)復(fù)合微機(jī)械加工技術(shù)從上述三種硅基微機(jī)械加工技術(shù)的關(guān)系來看，復(fù)合微機(jī)械加工技術(shù)相當(dāng)于上述兩種技術(shù)的綜合。因而，其在基于較高難度使用于待加工對象的同時(shí)，也促進(jìn)加工對象完善化功能的發(fā)生。這種加工技術(shù)的劣勢在于，其在保存綜合上述兩種加工技術(shù)存在優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，還無效防止了加工技術(shù)實(shí)踐使用進(jìn)程中發(fā)生的缺陷成績。
二、硅基微機(jī)械加工技術(shù)的理論使用
這里以硅基微機(jī)械加工技術(shù)爲(wèi)例，對其理論使用停止剖析：(一)研討對象這里選擇以外表微機(jī)械加工技術(shù)爲(wèi)次要處置技術(shù)的一種電容式麥克風(fēng)作爲(wèi)研討對象。該研討對象次要由音孔、挪動、固定電極、接縮小器、支撐體、面板等要素組成。該電容式麥克風(fēng)的尺寸爲(wèi)5.1mmX7.8mmX0.1mm。(二)外表微機(jī)械加工技術(shù)在該電容式麥克風(fēng)中的使用流程就該研討對象而言，外表微機(jī)械加工技術(shù)的使用次要包括以下幾個(gè)步驟：第一，針對厚度爲(wèi)210μm的高摻雜p型硅片，應(yīng)用PECVD辦法在其上構(gòu)成一層厚度爲(wèi)3.5μm的二氧化硅薄膜。第二，應(yīng)用相應(yīng)設(shè)備在二氧化硅膜上濺射出一層鉻薄膜，并對該新構(gòu)成的薄膜停止選擇刻蝕;第三，當(dāng)上述加工工序完成之后，在此針對硅片應(yīng)用相反的辦法制造出第二層二氧化硅薄膜，這個(gè)第二層薄膜構(gòu)成之后，立刻對其停止刻蝕處置，完成PI層的構(gòu)成。第四，針對高摻型p型硅片第三次使用PECVD辦法停止處置，使得該硅片構(gòu)成第三層二氧化硅薄膜，當(dāng)該薄膜完全構(gòu)成之后，需求對其停止刻蝕處置;刻蝕工序完畢之后，在其上濺射出一層鋁元素薄膜，并對該元素停止選擇刻蝕。第五，關(guān)于電容式麥克風(fēng)加工品背部沉淀的二氧化硅層而言，需求停止選擇刻蝕;第六，針對高摻型p型硅片應(yīng)用ICP反響離子刻蝕法停止深度刻蝕。關(guān)于該加工資料犧牲層下部地位的二氧化硅層，將氧氣和CHF3這兩種氣體結(jié)合作爲(wèi)其反響氣體，完成該二氧化硅層的無效刻蝕;第七，針對高摻型p型硅片的犧牲層停止刻蝕處置;第八，當(dāng)上述根底工序全部使用完成之后，需求將一切部件組裝到一同，最終失掉具有良好運(yùn)用功能的電容式麥克風(fēng)。
三、結(jié)論
常用的硅基微機(jī)械加工技術(shù)次要包括外表微機(jī)械加工技術(shù)、體微機(jī)械加工技術(shù)及復(fù)合微機(jī)械加工技術(shù)等。這幾種硅基微機(jī)械加工的特點(diǎn)、使用范圍不同。因而，在實(shí)踐使用進(jìn)程中，應(yīng)該依據(jù)待加工對象的性質(zhì)和加工要求，選擇適合的加工技術(shù)。
參考文獻(xiàn)
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