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固態(tài)硬盤gpt和mbr區(qū)別
固態(tài)硬盤是一種比傳統(tǒng)機械硬盤運行都要更快的硬盤，那么固態(tài)硬盤gpt和mbr區(qū)別有哪些呢？下面就讓我們來了解一下吧！
MBR分區(qū)表：
在傳統(tǒng)硬盤分區(qū)模式中，引導(dǎo)扇區(qū)是每個分區(qū)(Partition)的第一扇區(qū)，而主引導(dǎo)扇區(qū)是硬盤的第一扇區(qū)。它由三個部分組成，主引導(dǎo)記錄MBR、硬盤分區(qū)表DPT和硬盤有效標(biāo)志。在總共512字節(jié)的主引導(dǎo)扇區(qū)里MBR占446個字節(jié)，第二部分是Partition table區(qū)(分區(qū)表)，即DPT，占64個字節(jié)，硬盤中分區(qū)有多少以及每一分區(qū)的大小都記在其中。第三部分是magic number，占2個字節(jié)，固定為55AA。
一個扇區(qū)的硬盤主引導(dǎo)記錄MBR由4個部分組成。
主引導(dǎo)程序(偏移地址0000H--0088H)，它負責(zé)從活動分區(qū)中裝載，并運行系統(tǒng)引導(dǎo)程序。
出錯信息數(shù)據(jù)區(qū)，偏移地址0089H--00E1H為出錯信息，00E2H--01BDH全為0字節(jié)。
分區(qū)表(DPT，Disk Partition Table)含4個分區(qū)項，偏移地址01BEH--01FDH，每個分區(qū)表項長16個字節(jié)，共64字節(jié)為分區(qū)項1、分區(qū)項2、分區(qū)項3、分區(qū)項4。
結(jié)束標(biāo)志字，偏移地址01FE--01FF的2個字節(jié)值為結(jié)束標(biāo)志55AA,如果該標(biāo)志錯誤系統(tǒng)就不能啟動。
GPT分區(qū)表：
GPT的分區(qū)信息是在分區(qū)中，而不象MBR一樣在主引導(dǎo)扇區(qū)，為保護GPT不受MBR類磁盤管理軟件的危害，GPT在主引導(dǎo)扇區(qū)建立了一個保護分區(qū)(Protective MBR)的MBR分區(qū)表(此分區(qū)并不必要)，這種分區(qū)的類型標(biāo)識為0xEE，這個保護分區(qū)的大小在Windows下為128MB，Mac OS X下為200MB，在Window磁盤管理器里名為GPT保護分區(qū)，可讓MBR類磁盤管理軟件把GPT看成一個未知格式的分區(qū)，而不是錯誤地當(dāng)成一個未分區(qū)的磁盤。
另外，為了保護分區(qū)表，GPT的分區(qū)信息在每個分區(qū)的頭部和尾部各保存了一份，以便分區(qū)表丟失以后進行恢復(fù)。
對于基于x86/64的Windows想要從GPT磁盤啟動，主板的芯片組必須支持UEFI(這是強制性的，但是如果僅把GPT用作數(shù)據(jù)盤則無此限制)，例如Win8/Win8.1原生支持從UEFI引導(dǎo)的GPT分區(qū)表上啟動，大多數(shù)預(yù)裝Win8系統(tǒng)的電腦也逐漸采用了GPT分區(qū)表。至于如何判斷主板芯片組是否支持UEFI，一般可以查閱主板說明書或者廠商的網(wǎng)址，也可以通過查看BIOS設(shè)置里面是否有UEFI字樣。
拓展：
固態(tài)硬盤的優(yōu)勢
1、讀取速度
固態(tài)硬盤的讀取速度普遍可以達到400M/s，寫入速度也可以達到130M/s以上，其讀寫速度是普通機械硬盤的3-5倍;
2、抗震能力
傳統(tǒng)的機械硬盤內(nèi)部有高速運轉(zhuǎn)的磁頭，其抗震能力很差，因此一般的機械硬盤電如果是在運動中或者震動中使用，很容易損壞硬盤。而機械硬盤采用芯片存儲方案，內(nèi)部無磁頭，具備超強的抗震能力，即便是在運動或者震動中使用，也不容易損壞。
3、功耗
固態(tài)硬盤功耗低，并且具備極低功耗待機功能，而機械硬盤則不具備;
4、噪音
固態(tài)硬盤運行中基本聽不到任何噪音，而機械硬盤一般湊近聽可以聽到內(nèi)部的磁盤轉(zhuǎn)動以及震動的聲音，一些使用比較久的機械硬盤噪音更為明顯。
5、發(fā)熱
機械硬盤發(fā)熱較少，即便是在運行一段時間后，其表面也感受不到明顯的發(fā)熱，而機械硬盤運行一段時間后，用手觸摸可以明顯感受到是熱的。
固態(tài)硬盤內(nèi)部構(gòu)造：
1.主控。主控芯片是固態(tài)硬盤的大腦，其作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個閃存芯片上的負荷，二則是承擔(dān)了整個數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)，連接閃存芯片和外部SATA接口。不同的主控之間能力相差非常大，在數(shù)據(jù)處理能力、算法，對閃存芯片的讀取寫入控制上會有非常大的不同，直接會導(dǎo)致固態(tài)硬盤產(chǎn)品在性能上差距高達數(shù)十倍。
2.緩存。固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤一樣需要高速的緩存芯片輔助主控芯片進行數(shù)據(jù)處理。這里需要注意的是，有一些廉價固態(tài)硬盤方案為了節(jié)省成本，省去了這塊緩存芯片，這樣對于使用時的性能會有一定的影響。
3.內(nèi)存。除了主控芯片和緩存芯片以外，PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為SLC(單層單元)MLC(多層單元)以及TLC(三層單元)NAND閃存。
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