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      1. 串行FLASH SSF1101在單片機

        時間:2024-07-02 08:43:40 理工畢業論文 我要投稿
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        串行FLASH SSF1101在單片機

        摘要:SSF1101是存儲容量為4Mbit的SPI串行接口FLASH存儲器,其IC卡封裝形式可作為單片機系統的大容量數據存儲卡。文中介紹了該器件的主要特性和工作原理,并以IC卡封裝形式為例,給出了其與單片機的接口電路及相應的讀寫程序。

        1 概述

        對于野外移動工作或不便與上位機通信的單片機數據采集系統,使用一個大容量、可插拔、便于更換和攜帶的智能卡來存儲采集到的數據,是一個較好的數據存儲方案。SSF1101是上海新茂半導體有限公司生產的4Mbit串行接口可編程閃速存儲器,該器件采用SPI串口模式與單片機或微機通信,無需任何外圍元件。利用該器件提供的IC卡封裝形式,可非常方便地和單片機系統進行接口以構成大容量的數據存儲裝置。同時,該芯片具有封裝尺寸小、集成度高、電壓低、存儲容量大、接口方式簡單等優點,在商業和工業領域具有廣泛的應用前景。

        2 性能特點

        SSF1101是一個4Mbit的串行FLASH存儲器,具有4根器件識別腳,可在一個系統中最多能擴展16片,其總存儲容量可達8M字節,該器件的性能特點如下:

        ●SPI串行數據接口符合SPI標準;

        ●器件內具有4M Bit 閃速存儲器,512頁,每頁1024字節;

        ●內置4位器件地址譯碼電路,可直接并聯擴展存儲容量,最多可連接16片;

        ●帶有雙1k字節的數據緩沖器,可在編程期間寫入或讀取數據,且讀。瘜懭氲刂纷詣舆f增;

        ●高速頁面編程,典型時間為20ms;

        ●高速頁面到數據緩沖器的傳輸典型時間為100μs;

        ●頁面擦除典型時間為10ms;

        ●器件擦除典型時間為2s;

        ●內置擦除/編程時序邏輯;

        ●可硬件寫保護;

        ●時鐘頻率最高達10MHz;

        ●采用單5V電源工作,并有低電壓2.7~3.5V可供選擇;

        ●低功耗,休眠電流典型值為18μA;

        ●與CMOS電平和TTL輸入/輸出電平兼容;

        ●工作溫度很寬(商用);

        ●內置上電復位電路;

        ●在數據緩沖器和主Flash之間進行傳送或比較時,可對未用的數據緩沖器和狀態寄存器進行操作。

        SSF1101采用32腳TSOP封裝和IC卡封裝兩種形式,其TSOP封裝外形及引腳排列如圖1(a)所示,IC卡的觸點配置如圖1(b)所示。器件的引腳功能說明見表1所列。

        表1 SSF110引腳說明

        序 號引腳名I/O

        描 述

        1RDY/BUSYO閑/忙指示,此腳為低時表示器件忙,不能閃存進行操作2RSTI復位,低有效3WPI寫保護,高有效。此信號有效時不能對閃存進行寫擦除操作6VccI電源7,8GNDI地4,5,9,10ID0~ID3I芯片地址A0~A3,只有命令中的Device ID和ID0~ID3引腳電平一致時,命令才會被器件接受11TMI測試引腳,正常使用時接地12CSI片選,低有效,命令輸入后應重新置為高電平13SCKI串行輸入數據時鐘14SII數據輸入,命令和數據都由此腳串行輸入15SOO/Z串行數據輸出,三態16~32NCZ空腳

        3 工作原理

        SSF1101具有4194304位主存儲單元,分成512頁面、每頁面1024個字節。此外SSF1101還包含有2個SRAM緩沖器,每個緩沖器有1024個字節,當主存儲器內的1頁正被編程時,緩沖器照樣能接收輸入數據。SSF1101使用SPI串口訪問它的數據,因而硬件設計十分方便,系統可靠性很強,并可把開關噪聲降到最低。該芯片在編程期間,不需要高電壓,而編程電壓仍為電源電壓。 圖2所示是SSF1101存儲器的內部結構框圖。

        SSF1101通過簡單的SPI串行口進行數據存取,器件的操作由主機發出的指令控制,一個有效指令包括一字節4位操作碼、4位器件地址以及目的緩沖器或主儲器地址位置。當CS為0時,主機向器件SCK端發送時鐘信號,以引導操作碼和地址從SI端寫入到器件中。所有指令地址和數據都是先送高位。SSF1101的操作命令如表2所列。表中的X可取任意值,它對器件操作沒有影響。

        表2 SSF1101操作命令表

        操 作命 令器件地址頁面地址緩沖區地址讀緩沖區11110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0讀緩沖區21111ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0寫緩沖區10110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0寫緩沖區20111ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0使用內建擦除周期的從緩沖區1到閃存傳送1010ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX使用內建擦除周期的從緩沖區2到閃存傳送1011ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX不使用內建擦除周期的從緩沖區1到閃存傳0010ddddPA11-PA0X

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