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基于虛擬扇區(qū)的Flash存儲管理技術(shù)
摘要：首先，針對閃存Flash的存儲編程特點(diǎn)，提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù)，使系統(tǒng)對Flash的擦寫次數(shù)大大降低，從而提高Flash的使用壽命和整個系統(tǒng)的性能。然后，通過嵌入式系統(tǒng)電子名片管理器，介紹這一技術(shù)的使用。隨著閃存的廣泛應(yīng)用，對Flash的有效存儲管理將有很大的實(shí)用意義和社會效益。引言
隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用，大量需要一種能多次編程，容量大，讀寫、擦除快捷、方便、簡單，外圍器件少，價格低廉的非易揮發(fā)存儲器件。閃存Flash存儲介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是一種基于半導(dǎo)體的存儲器，具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息，及在線擦寫等功能特點(diǎn)，是一種替代EEPROM存儲介質(zhì)的新型存儲器。因?yàn)樗淖x寫速度比EEPROM更快，在相同容量的情況下成本更低，因此閃存Flash將是嵌入式系統(tǒng)中的一個重要組成單元。
然而，由于Flash讀寫存儲的編程特點(diǎn)，有必要對其進(jìn)行存儲過程管理，以使整個系統(tǒng)性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲編程特點(diǎn)
Flash寫：由1變?yōu)?，變?yōu)?后，不能通過寫再變?yōu)?。
Flash擦除：由0變?yōu)?，不能只某位單元進(jìn)行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內(nèi)容都變?yōu)?，芯片擦除是把整個Flash的內(nèi)容都變?yōu)?。通常一個Flash存儲器芯片，分為若干個擦除block，在進(jìn)行Flash存儲時，以擦除block為單位。
當(dāng)在一個block中進(jìn)行存儲時，一旦對某一block中的某一位寫0，再要改變成1，則必須先對整個block進(jìn)行擦除，然后才能修改。通常，對于容量小的block操作過程是：先把整個block讀到RAM中，在RAM中修改其內(nèi)容，再擦除整個block，最后寫入修改后的內(nèi)容。顯然，這樣頻繁復(fù)雜的讀-擦除-寫操作，對于Flash的使用壽命以及系統(tǒng)性能是很不好的，而且系統(tǒng)也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區(qū)的管理技術(shù)可以有效地控制Flash的擦寫次數(shù)，提高Flash的使用壽命，從而提高系統(tǒng)性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS（Visual Small Sector），虛擬小扇區(qū)：以它為單位讀寫Flash內(nèi)容。
VSS ID（Visual Small Sector Identity），虛擬小扇區(qū)號：只通過虛擬扇區(qū)號進(jìn)行存儲，不用考慮它的真實(shí)物理地址。
SI（Sector Identity），分割號：一個擦寫邏輯塊中物理扇區(qū)的順序分割號。
BI（Block Identity）,塊號：Flash芯片中按擦除進(jìn)行劃分的塊號。
SAT（Sector Allocate Table），扇區(qū)分配表：一個擦寫邏輯塊中的扇區(qū)分配表。一個SAT由許多SAT單元組成，一個SAT表對應(yīng)一個Block，一個SAT單元對應(yīng)一個VSS。
每個SAT單元最高兩位為屬性位，后面各位為VSS ID號。如果一個SAT單元由16位組成，則VSS ID最大可以達(dá)到16×1024；而如果SAT單元由8位組成，則VSS ID最大可以達(dá)到64，具體約定由應(yīng)用情況而定。
2.2 實(shí)現(xiàn)原理
把每個block分為更小的虛擬邏輯塊（visual small sector），稱為虛擬扇區(qū)，扇區(qū)大小根據(jù)應(yīng)用而定。每個block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區(qū)分配的使用情況（即扇區(qū)分配表），包括扇區(qū)屬性及扇區(qū)邏輯號。圖1為邏輯扇區(qū)劃分示意圖。
在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫和修改時，以虛擬扇區(qū)塊的大小為單位。要修改某一扇區(qū)的數(shù)據(jù)時，先讀出這個扇區(qū)的內(nèi)容，重新找一個未使用的扇區(qū)，把修改后的內(nèi)容寫入這個新扇區(qū)。然后，修改原來扇區(qū)的屬性值為無效，修改這個新扇區(qū)的屬性為有效，拷貝VSS ID號到新扇區(qū)對應(yīng)的SAT單元中。
這樣，當(dāng)某一個block中的SAT屬性都標(biāo)為無效時，才對當(dāng)前block進(jìn)行擦寫�？梢�，以虛擬扇區(qū)大小為單位的存儲管理，對Flash塊的擦寫次數(shù)可大大減少，從而提高了系統(tǒng)性能。
3 VSS管理實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)
3.1 常數(shù)部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據(jù)Flash型號修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據(jù)Flash型號及應(yīng)用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個數(shù)
#define MAX_SI_1B 255 //每個可擦除塊中有效SI個數(shù)
#define SATSIZE 510 //扇區(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
3.2 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個block的使用情況。數(shù)組中的某位為1，表示相應(yīng)sector為未使用；否則，為已經(jīng)寫過，系統(tǒng)通過這個表可以跟蹤各個block的使用情況。
3.3 函數(shù)功能部分
1） Flash_Format()//擦除整塊Flash存儲介質(zhì)。
2） Flash_Init()//對VSS管理系統(tǒng)參數(shù)進(jìn)行初始化，填充VSS_Table表，統(tǒng)計Flash的使用情況。在系統(tǒng)復(fù)位初始時調(diào)用。
3） Block_Erase(int blockID)//擦除塊號為block ID的塊。
4） Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及
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