筆經(jīng)B

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　　筆經(jīng)B

筆試經(jīng)驗(yàn)：筆試分兩部分 第一部分為技術(shù)測(cè)試，第二部分為英語(yǔ)第一部分 約10題（憑記憶寫(xiě)吧），時(shí)間30分鐘（根本來(lái)不及做）1.簡(jiǎn)單c代碼，寫(xiě)輸出結(jié)果2.net延時(shí)問(wèn)題，比如1000um為50ps， 2000um延遲是多少，10個(gè)1000um串連是多少，中間加上BUFFER又是多少？3.RC樹(shù)延遲問(wèn)題，給出R，C的`值和驅(qū)動(dòng)電平，求RC電路的延時(shí)，兩級(jí)RC電路的延時(shí)4.畫(huà)CMOS反向器結(jié)構(gòu)圖 標(biāo)出個(gè)部分區(qū)域如N ,N-,Metal，Channel, Nwell，substrate,poly-silicon etc5.畫(huà)與非門(mén)電路和layout，棍圖6.兩個(gè)D觸發(fā)器和一級(jí)buffer組成同步電路給個(gè)若干時(shí)序數(shù)據(jù)比如 buffer延時(shí)，tsetupthold，組合邏輯延時(shí)，時(shí)鐘SKEW。 算總延時(shí)，以及和時(shí)鐘頻率的關(guān)系，需要滿足的條件(setup,hold)7，兩個(gè)管子串聯(lián)，vdd接上管g，d和下管g ，下管s接地，上管s和下管d相連作輸出vout，求vout8.3個(gè)反相器串聯(lián)，給出最前面一個(gè)和最后面一個(gè)反相器P管和N管的寬長(zhǎng)比，問(wèn)中間的反向器P管和N管的寬長(zhǎng)比，使得整個(gè)電路延遲最小9.兩個(gè)電容并聯(lián)，給出C值，一個(gè)電容給另外一個(gè)放電，問(wèn)最終電容上的電壓。 第二部分，20分鐘英文作文（200字），你認(rèn)為從項(xiàng)目中學(xué)習(xí)知識(shí)重要還是從書(shū)本學(xué)習(xí)重要？

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