TMS320C5410燒寫Flash實現并行自舉引導

TMS320C5410燒寫Flash實現并行自舉引導

摘要：介紹在TMS320C5410環境下對Am29LV200B Flash存儲器進行程序燒寫，并且實現了TMS320C5410上電后用戶程序并行自舉引導。

　　Flash是一種可在線進行電擦寫，掉電后信息不丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快等特點，并且內部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在數字信號處理系統中得到了廣泛的應用。本文通過一個完整的實例，介紹Am29LV200B Flash存儲器的燒寫方法，實現TMS320C5410（以下簡稱C5410）上電后用戶程序的并行自舉引導。

1 Am29LV200B Flash存儲器

1.1 Flash存儲器簡介

　　Am29LV200B是AMD公司生產的Flash存儲器，其主要特點有：3 V單電源供電，可使內部產生高電壓進行編程和擦除操作；支持JEDEC單電源Flash存儲器標準；只需向其命令寄存器寫入標準的微處理器指令，具體編程、擦除操作由內部嵌入的算法實現，并且可以通過查詢特定的引腳或數據線監控操作是否完成；可以對任一扇區進行讀、寫或擦除操作，而不影響其它部分的數據。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射為C5410的片外數據存儲空間，地址為：0x8000~0xFFFF，數據總線16位，用于16位方式的并行引導裝載。128K的Flash ROM用32K地址分四頁進行訪問，上電加載程序時使用Flash ROM的第3頁。

1.2 Flash存儲器的操作命令

　　向Flash存儲器的特定寄存器寫入地址和數據命令，就可對Flash存儲器編程，但要按一定的順序操作，否則就會導致Flash存儲器復位。由于編程指令不能使"0"寫為"1"，只能使"1"變為"0"，而擦除命令可使"0"變為"1"，所以正確順序是先擦除，后編程。下面就介紹幾個常用的操作命令：編程命令、擦除命令、讀數據命令、復位命令。

　�、� 編程命令。該命令向Flash的指定地址中寫入數據，需要四個總線周期，前兩個是解鎖周期，第三個是建立編程命令，最后一個周期完成向編程地址中寫入編程數據，如表1所列。

表1 編程命令

周期1(解鎖)2（解鎖）3(建立）4（編程）地址0x5550x2AA0x555pa(編程地址)數據0xAA0x550xA0pa(編程數據)

　　由于向每個編程地址寫入數據都需要四個周期，所以在循環寫Flash時使用宏比較簡單。Flash ROM的首地址為0x8000，故偏移地址0x555對應物理地址就為0x8555。編程程序如下：

_WRITECOMMAND .macro pa,pd ;單一周期編程的寫命

；令宏，pa是編程地址，pd是編程數據

PSHM AR1

STM pa,AR1 ;AR1指向編程地址

LD pd,A

STL A,*AR1 ;把編程數據放入AR1的編程地址中

RPT #12

NOP

POPM AR1

.endm

_WRITEFlash .macro par,pdr ;編程宏,par是編程地址寄存

；器，pdr是存放編程數據的寄存器

_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解鎖）

_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解鎖）

_WRITECOMMAND #8555H, #0A0H ; 周期3（建立）

LD pdr, A ; 周期4（編程）

STL A, par ; 把pdr寄存器中數據放入par

；寄存器的地址中

RPT #12

NOP

_JUDGE par, pdr ;檢測編程是否正確，見Flash

；的操作檢測

.endm

_WRITECOMMAND是實現一個周期編程的寫命令宏，而_WRITEFlash是完成對指定地址編程的四個完整周期。

表2 擦除命令

周期1(解鎖)2（解鎖）3(建立）4（解鎖）5(解鎖）6（片擦除）6（扇區擦除）地址0x5550x2AA0x5550x5550x2AA0x555SA(扇區地址)數據0xAA0x550x800xAA0x550x100x30

　　② 擦除命令。該命令有片擦除和扇區擦除兩種，都需要6個總線周期，前兩個解鎖周期，第三個建立周期，四、五兩個解鎖周期，最后是片擦除或扇區擦除周期，如表2所列。一旦執行編程或擦除命令后，就啟動Flash的內部編程或擦除算法，自動完成編程或擦除操作。擦除程序如下：

_ERASEFlash .macro ;擦除宏

_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解鎖）

_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解鎖）

_WRITECOMMAND #8555H,#080H ; 周期3（建立）

_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期4（解鎖）

_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期5（解鎖）

_WRITECOMMAND #8555H,#010H ; 周期6（片擦除）

STM #8555H,AR3

LD #010H ,A

【TMS320C5410燒寫Flash實現并行自舉引導】相關文章：

TMS320VC5416并行自舉的巧妙實現03-18

TMS320C6x DSP的FLASH引導方法研究與實現03-18

STR75x Flash燒寫器的設計03-30

HPI自舉在TMS320VC5402芯片上的實現03-18

在DSP處理器上并行實現ATR算法03-18

利用Flash實現DSP對多個程序有選擇的加載03-19

大容量Flash存儲設備在水文遙測系統中的實現03-07

DSP56362的雙引導裝載方法研究與實現03-18

在MPC555中實現從RAM的快速引導03-18